1.NXP第二季度营收同比下降5%至31.3亿美元
恩智浦（NXP）公布2024年第二季度业绩情况，营收同比下降5%至31.3亿美元；GAAP毛利率57.3%；GAAP归属股东净利润6.58亿美元，同比下降5.7%。
来源：NXP
NXP当季汽车业务营收17.28亿美元，同比下降7%，环比下降4%；工业与物联网业务营收6.16亿美元，同比与环比均增长7%。
来源：NXP
NXP展望第三季度GAAP营收处于31.5至33.5亿欧元之间，会产生8%至2%的同比降幅；毛利率处于57.0%至58%之间。
2.安森美将为大众下一代电动汽车提供电源技术
近日，安森美宣布与大众汽车集团签署了一项多年协议，成为其可扩展系统平台下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的技术，可扩展至所有功率级别，从大功率到小功率主驱逆变器，兼容所有车辆类别。
基于EliteSiC M3e MOSFET，安森美独特的电源箱解决方案能够在更小的封装内处理更大功率，并能显著降低能耗。通过使用这一集成解决方案，大众汽车集团将能够轻松过渡到未来基于EliteSiC的平台，并保持处于电动汽车创新的前沿。
3.三星专注存储，首先投资HBM与DRAM内存
据IT之家消息，继消息称三星有望今年第三季度开始向英伟达出货后，韩媒报道三星开始已在华城17号产线量产并向英伟达供应HBM3内存。此外，为弥补 HBM供应造成的通用DRAM内存供应短缺，平泽P4工厂转为DRAM专用生产线。
此前报道，三星平泽P4工厂的代工业务已暂缓建设。韩媒称NAND闪存产线也没有进一步投资的计划。业内人士称，目前P4是三星韩国业务中唯一可以增加 DRAM产能的空间。该公司已经制定了计划，在可以增加半导体产能的空间首先投资DRAM。
4.传台积电以高于美光的价格收购群创工厂
据财联社引述中国台湾经济日报，台积电日前派员实地勘查群创台南工厂，希望与群创合作扩大先进封装布局。与美光相较，台积电提给群创的条件颇具吸引力。群创和台积电都表示，不对市场传闻发表评论。群创最快本周就台积电和美光竞购台南工厂做出决定。
5.传三星2nm工艺EUV曝光层数增加30%
据IT之家引述韩媒The Elec报道，三星电子预计于明年推出的2nm制程将较现有3nm增加30%以上的EUV曝光层数，达“20-30的中后半段”。总体来说，三星电子3nm工艺的平均EUV曝光层数量仅为20层，而在预计于2027年量产的SF1.4制程中，EUV曝光层的数量有望超越30层。
此外DRAM内存行业的EUV光刻用量也在提升，在第六代20-10nm级工艺（1c nm、1γ nm）上，三星电子使用了6-7个EUV层，SK海力士使用了5个EUV层，美光也在此节点首次导入了EUV光刻。
