1.英飞凌：正推进中国本地化生产
据科创板日报引述日经消息，英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck接受采访时表示，英飞凌正在中国推进本地化生产，以贴近中国客户。“针对那些很难更换的部件，中国客户要求本地化生产，所以我们会将部分产品转移到中国的代工厂，我们在中国也有自己的后端。”
2.安森美收购Qorvo碳化硅JFET技术业务
安森美日前宣布，以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括United Silicon Carbide子公司。
此次收购将补充安森美的EliteSiC功率产品组合，并使公司能够满足AI数据中心电源对高能效和高功率密度的需求。此举还将加速安森美在新兴市场，如电动汽车电池断开装置和固态电路断路器（SSCBs）的准备。该交易预计将于2025年第一季度完成。
SiC JFET提供每芯片面积最低的导通电阻，使用量不到其他任何技术的一半。这些优势共同导致开发速度更快、能耗更低和系统成本更低，为电源设计人员和数据中心运营商提供了显著的价值。
3.华虹无锡12英寸产线二期项目建成投产
据财联社消息，华虹无锡集成电路研发和制造基地二期项目12英寸生产线建成投片大会12月10日举行。二期项目聚焦车规级芯片制造，建设月产能8.3万片的12英寸特色工艺生产线，较原计划提前100天建成。
4.意法半导体推出首个集成NPU的微控制器STM32N6系列
意法半导体（ST）日前正式推出旗下首个内置NPU的MCU系列STM32N6，新的机器学习功能使在边缘运行计算机视觉、音频处理、声音分析以及更多的消费级和工业应用成为可能。
STM32N6系列是ST体迄今为止最强大的微控制器，也是首个嵌入ST自研Neural-ART专用NPU的产品，其机器学习性能是当今高端STM32器件的600倍。STM32N6自2023年10月以来已向选定客户提供，现在已准备好大批量供应。
其他性能方面，STM32N6具有800 MHz的ArmCortex-M55内核，以及ST迄今为止最高的4.2 MB RAM容量，还有两个64位AXI接口提供高带宽，并集成了一个提供直接信号处理的ISP。
5.Marvell发布首个3纳米1.6 Tbps PAM4互连平台Ara
据SemiMedia消息，Marvell日前推出了界首个3纳米1.6 Tbps PAM4互连平台Ara，该平台集成了集成了200 Gbps SerDes和集成光学调制器驱动器，能够将1.6 Tbps光模块的功耗降低超过20%。这一提升的能效有助于降低运营成本，并支持新的AI服务器和网络架构的发展，为数据中心内的AI工作负载提供更高的带宽和性能。
利用3纳米技术和激光驱动器集成，Ara减少了模块设计的复杂性、功耗和成本，为下一代AI和云基础设施树立了新的基准。Marvell Ara计划在2025年第一季度向选定客户进行样品发送。
6.统计调研：AI和内存需求强劲推动三季度半导体行业复苏
据IT之家消息，市场调查机构Counterpoint Research发布博文，报告称2024年第三季度全球半导体市场回暖，AI和内存需求强劲推动行业复苏，全球半导体行业收入达1582亿美元，同比增长17%。全球前22家半导体供应商占据了73.1%的市场份额，与去年同期持平。
三星凭借内存芯片强劲需求，尤其是在DDR5和面向AI的存储解决方案领域，重回榜首，同比增长18%。英伟达第三季度收入同比暴涨94%，排名第七；SK 海力士和美光也因HBM高需求推动，收入分别同比大增94% 和93%。英特尔由于巨额重组费用和成本削减计划第三季度收益同比下降6%。
7.三星400层NAND闪存开发完成，扩产先进产品线
据快科技引述相关报道，三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND闪存技术，并已开始将该技术转移到大规模生产线，这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND闪存的SK海力士。
三星计划在2025年国际固态电路会议上详细介绍其1Tb容量400层TLC NAND闪存，并预计于2025年下半年开始量产。市场专家预测，如果进程加快，量产可能会在2025年第二季度末开始。
除此以外，三星还计划增加先进产品的产量，包括在平泽园区安装新第9代（286层）NAND闪存生产设施，月产能为3万至4万片晶圆，以及在中国西安工厂将128层（V6）NAND闪存生产线转换为236层（V8）NAND闪存产品制程。
8.三星芯片代工新负责人：先进、成熟制程要两手抓
据财联社消息，上月末刚刚升任三星电子设备解决方案部foundry业务总裁兼总经理的韩真晚今日在致员工的内部信中表示，三星代工部门要实现先进、成熟制程两手抓。
韩真晚表示三星代工部门目前最关键的任务是实现2nm产能良率的爬坡。韩真晚认为成熟制程的竞争力同样重要，代工部门应努力扩大成熟制程的商业规模，需要集中精力获取更多客户。
