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NAND闪存全年供应预增,英飞凌发起GaN专利诉讼

2024-03-19  来源:互联网

1.铠侠/西数率先增产,NAND闪存全年供应将增长

据科创板日报消息,TrendForce集邦咨询研究显示,在NAND闪存涨价将持续至第二季的预期下,部分供应商为了减少亏损、降低成本,并寄望于今年重回获利。

今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成,其余业者均未明显增加投产规模。为应对下半年旺季需求,加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位,本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品,有望在今年实现获利,并进一步带动2024年NAND 闪存产业供应位元年增率达10.9%。



2.英飞凌起诉英诺赛科GaN技术专利侵权

英飞凌于3月14日公布,通过其子公司Infineon Technologies Austria AG对英诺赛科(珠海)技术公司有限公司和英诺赛科美国股份有限公司及其附属公司提起诉讼。

英飞凌正在为侵犯其拥有的氮化镓(GaN)技术的美国专利寻求永久禁令。该专利权利要求涵盖了GaN功率半导体的核心方面,包括实现英飞凌专有GaN器件可靠性和性能的创新。该诉讼已在加利福尼亚州北区地方法院提起。

英飞凌声称,英诺赛科通过制造、使用、销售、提供销售和/或向美国进口各种产品侵犯了上述英飞凌专利,包括用于汽车、数据中心、太阳能、电机驱动器、消费电子产品以及汽车、工业和商业应用的相关产品中的多种应用的GaN晶体管。



3.预测:三星DRAM产能将在下半年恢复至2023年前水平

据IT之家消息,市场调查机构Omdia近日发布预估,认为三星的DRAM产能有望在2024年下半年恢复到2023年前的水平。

三星DRAM业务在2023年遭遇滑铁卢,全年利润率下降了95%。Omdia预估2024年上半年,三星的晶圆产量累计约为157.5万片,占去年同期210万片的75%。三季度产量将增至196.5万片,比去年同期增长11%;四季度产量预估突破200万片,比去年同期增长41%。



4.SK海力士启动量产HBM3E内存

据IT之家消息,SK海力士今日发布新闻稿宣布其最新的超高性能AI内存产品 HBM3E已开始量产,并将从本月下旬起向客户供货,距离去年8月宣布开发仅隔了7个月。

据介绍,SK 海力士是首家实现量产HBM3E供应商。 由于AI对内存的运行速度要求极高,HBM3E相比前几代产品更注重散热方面的表现。SK海力士表示,其 HBM3E采用先进的MR-MUF技术,散热性能较上一代产品提高了10%,从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。



5.台积电或首次输出CoWoS封装技术至日本

据快科技引述相关报道,有知情人士透露,台积电正考虑在日本建立先进封装产能,考虑的一个选择是将其晶圆基片芯片(CoWoS)封装技术引入日本。目前台积电所有的CoWoS产能都在中国台湾。

所以若台积电将CoWoS先进封装技术引入日本,也将是台积电首次对外输出CoWoS封装技术。台积电之所以如此考虑,主因还是供不应求,随着人工智能的蓬勃发展,全球对先进半导体封装的需求激增。不过有分析师表示,如果台积电在日本建立先进封装产能,规模也将有限,目前CoWoS客户多数在美国,尚不清楚日本国内对CoWoS封装的需求有多大。



6.SK海力士拟将中国业务重心转向无锡

据外媒SemiMedia引述相关报道,SK海力士计划关闭成立于2006年的中国上海办事处,并将重点转移到其半导体制造工厂所在的中国无锡,作为其在中国的新业务中心。SK海力士在中国有三家工厂,包括无锡DRAM工厂、大连NAND闪存工厂和重庆封装工厂。

由于上海和无锡地理位置相近,加上SK海力士的中国业务中心已转移到无锡,公司决定关闭上海销售公司以提高效率。此外,SK海力士希望通过重整重要性相对较低的销售设施来降低风险。



7.联发科与英伟达合作推出Dimensity Auto 座舱平台

联发科宣布,在19日的英伟达GTC大会上推出一系列结合AI技术的Dimensity Auto座舱平台SoC:CX-1、CY-1、CM-1和CV-1,这四款产品皆支持英伟达DRIVE OS软件,汽车制造商可借助Dimensity Auto平台覆盖从豪华到入门级的细分市场,将优质AI座舱体验带入新一代智能汽车中。

Dimensity Auto座舱平台芯片组整合了先进的Armv9-A架构以及由英伟达下一代 GPU加速的AI运算和RTX图形处理技术,支持深度学习功能。Dimensity Auto平台支持在车内运行大语言模型,可赋能车载语音助手、多屏显示、驾驶警觉性监测等先进的AI安全和娱乐应用,还采用硬件级安全设计,符合新推出的汽车安全标准,可进一步保护用户数据。


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